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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振7C臺灣石英晶體振蕩器,CMOS輸出晶體,進(jìn)口晶振

    7C臺灣石英晶體振蕩器,CMOS輸出晶體,進(jìn)口晶振

  • 規(guī)格型號:32915414
  • 頻率:1.000~150.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.2mm詳細(xì)資料參照PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:5032mm貼片式晶體振蕩器被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域

  7C臺灣石英晶體振蕩器,CMOS輸出晶體,進(jìn)口晶振,有源石英晶振,無論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù).比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻.
主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:
  1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;
  2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;
  3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

TXC晶振型號/輸出類型 7C
輸出類型 CMOS
輸出負(fù)載 15pF,30pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 1.8V,2.5V,2.8V,3.3V,5V
頻率范圍 1~150MHZ
頻率穩(wěn)定度 ± 20 ppm , ± 25 ppm , ± 30 ppm , ± 50 ppm
工作溫度 - 10 ~ + 70 ℃ , - 40 ~ + 85 ℃
保存溫度 - 55 ~ + 125 ℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間 5 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。




  5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

設(shè)計振蕩回路的注意事項  
1.      驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
      驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

2.      振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器

                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考


  石英晶振是一種易碎元器件對于晶振的保存方式也要妥當(dāng).
1.首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方.使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.
2.其次對于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過程,也不宜使晶振跌落,一般來說,從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.
3.在晶振焊錫過程中,其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時間也不宜過長,防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變,而產(chǎn)生不穩(wěn)定.
4.晶振外殼需要接地時,應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振,
5.保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連,否則也會導(dǎo)致晶體停振,
6.對于需要剪腳的晶振,應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響.
7.焊錫之后,要進(jìn)行清洗,以免絕緣電阻不符合要求.

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