編碼X1G005571008400是一款20M的CMOS輸出有源晶振用于可視智能家居
來源:http://m.diker.cn 作者:xiuo 2022年09月29
編碼X1G005571008400是一款20M的CMOS輸出有源晶振用于可視智能家居,在這個時代里,只要不斷創(chuàng)新和擁抱不確定,以及擁抱變化的企業(yè)方能在這個包羅萬象的世界存在,愛普生晶振公司一直以來秉持著擁抱變化本身而獨立存在,使得其在晶體行業(yè)擁有更多的機會和可能性,并且為社會創(chuàng)造巨大的價值,同時又敢于追尋對于未來的不確定性,通過自身對于晶體行業(yè)的積累,研發(fā)一系列高質(zhì)量的晶振產(chǎn)品,其中包含這款SG-8018CA晶振,編碼X1G005571008400,頻率20.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)7.00 x 5.00 x 1.40 mm,工作溫度-40至+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC,愛普生的SG-8018系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。而這個系列提供了相同的頻率和其他參數(shù)的簡單可編程性比較早,SG-8002/SG-8003系列,它們還具有更寬的工作溫度范圍,最高極限為105°C。除了2.5 × 2.0毫米的封裝,這將使電子制造商節(jié)省電路板空間,振蕩器也將提供以下流行的包裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列的振蕩器有大約66%的緊密頻率公差和電流消耗比同類產(chǎn)品低50%,可廣泛使用環(huán)境條件。這也將大大提高性能,降低功率要求,速度快開發(fā)周期和小批量生產(chǎn)。
編碼X1G005571008400是一款20M的CMOS輸出有源晶振用于可視智能家居,石英晶體振蕩器是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。 安裝一對金屬塊作為極板,構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。 當(dāng)在晶片外部的兩個板之間添加電場時,晶體將產(chǎn)生機械變形; 相反,當(dāng)在板之間施加機械力時,將在晶體中產(chǎn)生電場。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。
石英晶振上游主要包括原材料生產(chǎn)培養(yǎng)、材料制造、精密機械研制。下游客戶包括消費類電子產(chǎn)品、小型電子類產(chǎn)品、資訊設(shè)備、移動終端、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域,其市場很大程度依附于電子信息制造業(yè)增長。
編碼X1G005571008400是一款20M的CMOS輸出有源晶振用于可視智能家居,石英晶體振蕩器是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。 安裝一對金屬塊作為極板,構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。 當(dāng)在晶片外部的兩個板之間添加電場時,晶體將產(chǎn)生機械變形; 相反,當(dāng)在板之間施加機械力時,將在晶體中產(chǎn)生電場。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。
Product Number | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. |
X1G005571007300 | SG-8018CA | 57.143000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571007400 | SG-8018CA | 12.272700 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571007500 | SG-8018CA | 27.833300 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571007600 | SG-8018CA | 6.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571007700 | SG-8018CA | 25.000750 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571007800 | SG-8018CA | 16.500000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571007900 | SG-8018CA | 80.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008000 | SG-8018CA | 16.128000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008100 | SG-8018CA | 58.982400 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008200 | SG-8018CA | 58.982400 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008300 | SG-8018CA | 29.491200 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008400 | SG-8018CA晶振 | 20.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008500 | SG-8018CA | 10.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008600 | SG-8018CA | 15.200000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008700 | SG-8018CA | 16.384000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008800 | SG-8018CA | 61.440000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571008900 | SG-8018CA | 4.915200 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571009000 | SG-8018CA | 19.660800 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571009100 | SG-8018CA | 3.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571009200 | SG-8018CA | 80.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005571009400 | SG-8018CA | 156.250000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.40 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
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